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Intel, Samsung, and TSMC Demo 3D-Stacked Transistors – IEEE Spectrum

英特爾（Intel）、三星（Samsung）和台積電（TSMC）在最近的國際電子器件會議上展示了他們在製造互補式場效應電晶體（CFETs）方面的最新進展。這種技術將nFETs和pFETs堆疊在一起，創造出密度更高的3D結構，被視為摩爾定律的下一階段。英特爾通過從硅片底部接觸晶體管來簡化電路，三星則通過新型乾式蝕刻技術提高製造良率，而台積電則在隔離層的製造上取得創新。這些進步展示了未來高密度、高性能晶片的巨大潛力，預計這些技術將在七到十年後實現商業化。